摘要：采用X光雙晶衍射儀分析了GaN基發(fā)光二極管外延材料晶體結(jié)構(gòu)質(zhì)量并制成GaN-LED芯片,對(duì)分組抽取特定區(qū)域芯片封裝成的GaN-LED器件進(jìn)行可靠性試驗(yàn)。對(duì)比分析表明,外延晶片中的微缺陷與器件可靠性的關(guān)系密切;減少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高LED器件的可靠性。通過建立從外延片晶體結(jié)構(gòu)質(zhì)量、芯片光電參數(shù)分布到器件可靠性的分析實(shí)驗(yàn)方法,為GaN-LED外延材料生長(zhǎng)工藝的優(yōu)化和改善提供依據(jù),達(dá)到預(yù)測(cè)和提高器件可靠性的目的。

　　0引言GaNLED自1995年日本中村先生成功研制以來,近幾年其技術(shù)以驚人的速度迅猛發(fā)展。在可靠性方面,雖然在上、中、下游研發(fā)和生產(chǎn)等各個(gè)環(huán)節(jié)中備受重視,但是外延材料對(duì)器件可靠性和性能的影響研究,受上游至下游產(chǎn)業(yè)學(xué)科跨度大的限制,分析實(shí)驗(yàn)難度較高;與其他半導(dǎo)體器件一樣的

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