藍(lán)紫光InGaN多量子阱激光器
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上傳人：李德堯,張書(shū)明等 上傳時(shí)間： 2011-09-09 瀏覽次數(shù)： 262 |
| 作者 | 李德堯,張書(shū)明,王建峰,陳俊,陳良惠,種明,朱建軍,趙德剛,劉宗順,楊輝,梁駿吾 |
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| 單位 | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室 |
| 分類號(hào) | TN248 |
| 發(fā)表刊物 | 中國(guó)科學(xué)(E輯:技術(shù)科學(xué)) |
| 發(fā)布時(shí)間 | 2007年03期 |
自從第一臺(tái)InGaN多量子阱激光器問(wèn)世以來(lái)[1],由于其在高密度光信息存儲(chǔ)、顯示、激光打印和照明等領(lǐng)域潛在的應(yīng)用前景而受到廣泛關(guān)注.近幾年,許多大學(xué)和公司紛紛集中力量研究GaN基光電子材料和器件,致使在諸如GaN外延膜生長(zhǎng)、GaN的n型和p型摻雜、InGaN多量子阱生長(zhǎng)[2,3],以及……
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