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真明麗推出大功率LED—陶瓷覆晶系列XB35 XB50

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2012-09-29 作者:劉英杰、殷仕樂、鄭朝曦 來源:真明麗封裝研發(fā)中心 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0

摘要: 隨著LED照明進(jìn)入市場,高功率LED的散熱問題越來越受到重視,因為過高的溫度會導(dǎo)致LED發(fā)光效率降低,并且會影響產(chǎn)品的生命周期、發(fā)光效率、穩(wěn)定性,甚至對LED的壽命造成致命性的影響。而研究表明陶瓷基板線路對位精確度高,并且陶瓷基板具有與晶片有著接近的熱膨脹系數(shù)與高耐熱能力,有效的解決了熱歪斜與高溫制程。

  傳統(tǒng)晶片與Flip chip結(jié)構(gòu)對比

  覆晶型(Flip chip)晶片的優(yōu)勢在于:

  1. 晶片出光效率比傳統(tǒng)晶片高;

  2. 熱阻低,散熱好,光衰小;

  3. 不用Bond Wire,可靠性高;

  4. 可大電流驅(qū)動與沖擊,高電流狀態(tài)下仍有較好的出光效率

圖五:常規(guī)晶片和覆晶晶片不通電流測試光通量倍數(shù)變化狀況

  第三種制程如下:

  

  此種制程區(qū)別于前兩種制程最大的不同是采用了Flip chip制程,此種制程采取了倒裝結(jié)構(gòu)的晶片,這大大的提高了晶片的出光效率。同時由于采用了倒裝晶片,這取消了Bond Wire 環(huán)節(jié)消除了LED使用過程中連接晶片的引線開路的風(fēng)險;同時由于采用的是AuSn共晶制程,這大大的降低了晶片到散熱基板之間的熱阻以及LED工作時的結(jié)溫Tj,從而提高LED的可靠性以及壽命。

  一般而言,LED發(fā)光時所產(chǎn)生的熱能若無法導(dǎo)出,將會使LED結(jié)面溫度過高,進(jìn)而影響產(chǎn)品生命周期、發(fā)光效率、穩(wěn)定性。

  通過前面的敘述,可知LED封裝的方式與材料搭配對LED的可靠性與壽命有著密切的聯(lián)系,為了提高產(chǎn)品的可靠性及壽命,真明麗當(dāng)前功率型LED封裝主要采用Ceramic+filp chip模式。

  制程工藝如下:

  

  內(nèi)部結(jié)構(gòu)及外觀如圖:

圖六:真明麗ceramic+filp chip產(chǎn)品

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