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飛兆半導體擴充開關(guān)電源MOSFET產(chǎn)品線

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2012-08-23 作者:LEDth 來源:新世紀LED網(wǎng) 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0

摘要: 美國飛兆半導體擴充了用于開關(guān)電源(AC-DC轉(zhuǎn)換器)的40~80V耐壓功率MOSFET的產(chǎn)品線(英文發(fā)布資料),新投放了4款產(chǎn)品.

  美國飛兆半導體擴充了用于開關(guān)電源(AC-DC轉(zhuǎn)換器)的40~80V耐壓功率MOSFET的產(chǎn)品線(英文發(fā)布資料),新投放了4款產(chǎn)品,分別是耐壓為40V、采用Power56封裝的“FDMS015N04B”;耐壓為80V、采用Power56封裝的“FDMS039N08B”;耐壓為60V、采用3端子TO-220封裝的“FDP020N06B”;耐壓為80V、采用3端子TO-220封裝的“FDP027N08B”。4款產(chǎn)品均為n通道產(chǎn)品,特點是,為支持高速開關(guān),降低了柵極電荷和反向恢復電荷。據(jù)該公司介紹,“可降低開關(guān)損失,因此可用作開關(guān)電源的同步整流器”。

  FDMS015N04B的最大連續(xù)漏極電流為100A,最大脈沖漏極電流為400A;柵源電壓為±20V;導通電阻在柵源電壓為10V時為1.5mΩ(最大值);柵極電荷為118nC(最大值);反向恢復電荷為90nC(標稱值)。

  FDMS039N08B的最大連續(xù)漏極電流為100A,最大脈沖漏極電流為400A;柵源電壓為±20V;導通電阻在柵源電壓為10V時為3.9mΩ(最大值);柵極電荷為100nC(最大值);反向恢復電荷為80nC(標稱值)。

  FDP020N06B的連續(xù)漏極電流為313A,最大脈沖漏極電流為1252A;柵源電壓為±20V;導通電阻在柵源電壓為10V時為2.0mΩ(最大值);柵極電荷為268nC(最大值);反向恢復電荷為194nC(標稱值)。

  FDP027N08B的最大連續(xù)漏極電流為223A,最大脈沖漏極電流為892A;柵源電壓為±20V;導通電阻在柵源電壓為10V時為2.7mΩ(最大值);柵極電荷為178nC(最大值);反向恢復電荷為112nC(標稱值)。

  所有產(chǎn)品的內(nèi)置二極管均可進行軟反向恢復。因此“與其他競爭公司的產(chǎn)品相比,可將緩沖電路產(chǎn)生的電壓尖峰降低15%左右”(飛兆)。批量購買1000個時的美國參考單價方面,F(xiàn)DMS015N04B為1.78美元、FDMS039N08B為1.60美元、FDP020N06B為4.50美元、FDP027N08B為3.30美元。

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