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科銳推出50A碳化硅功率器件 實現(xiàn)低成本高能效

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2012-05-14 作者:LEDth 來源:新世紀LED網 瀏覽量: 網友評論: 0

摘要: 科銳將重新界定大功率應用的性能和能效,推出全新產品系列——50A碳化硅功率器件。該產品系列不僅包括業(yè)界首款1700V Z-FET?碳化硅MOSFET器件,還包括1200V Z-FET?碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec?碳化硅肖特基二極管,能夠提供創(chuàng)紀錄的能效以及比傳統(tǒng)技術更低的擁有成本,開創(chuàng)了新一代電源系統(tǒng)。

  科銳將重新界定大功率應用的性能和能效,推出全新產品系列——50A碳化硅功率器件。該產品系列不僅包括業(yè)界首款1700V Z-FET™碳化硅MOSFET器件,還包括1200V Z-FET™碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec®碳化硅肖特基二極管,能夠提供創(chuàng)紀錄的能效以及比傳統(tǒng)技術更低的擁有成本,開創(chuàng)了新一代電源系統(tǒng)。

  科銳全新產品系列50A碳化硅器件包括40mΩ1700V MOSFET器件、25mΩ1200V MOSFET器件以及50A/1700V、50A/1200V 和50A/650V肖特基二極管。該產品系列現(xiàn)已提供樣品及基礎數(shù)據(jù)表,預計2012年秋實現(xiàn)量產。

  科銳50A碳化硅功率器件采用裸芯片形式,針對太陽能功率逆變器、不間斷電源設備以及電機驅動器等大功率模組應用進行設計。該類器件以更小的尺寸、更低的物料成本以及更高的效率使得電力電子工程師能夠為系統(tǒng)擁有成本設定新的標準。

  科銳表示大尺寸的芯片能夠實現(xiàn)更多的優(yōu)勢,使得碳化硅MOSFET器件能夠使用在更高的功率應用中應用,從而能夠取代在大功率、高電壓應用領域中的低效傳統(tǒng)硅IGBT器件。該系列高額定碳化硅器件的推出保持了科銳在碳化硅技術屢創(chuàng)第一的傳統(tǒng),如業(yè)界第一款1200V 碳化硅MOSFET器件以及第一個量產1200V和1700V碳化硅肖特基二極管。

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