芯片材料

　　目前國內企業(yè)及科研機構已經實現(xiàn)在不同襯底(Al2O3、Si、SiC、AlN)上外延生長GaN材料，并已開發(fā)出圖形化襯底外延、非極性或半極性外延、襯底轉移、激光剝離、共晶焊接、ITO電極、表面粗化和光子晶體等產品和技術。

　　在提高內量子效率和外量子效率方面，我國也取得較大進展。目前已研發(fā)出AlGaN深紫外(260nm-400nm)發(fā)光二極管，以及1W的LED藍光芯片，白光LED的發(fā)光效率超過80lm/W，并研制出四元系AlGaInP紅光功率LED器件，發(fā)光效率約40lm/W。

　　然而，我國超高亮度芯片以及高亮度藍綠芯片產品技術仍有待進一步提高，國內該類芯片仍主要依靠進口。

　　由于外延片和芯片生產環(huán)節(jié)聯(lián)系緊密，行業(yè)內的多數(shù)企業(yè)在從事外延片生產的同時也進行芯片產品的生產。截止到2013年年底，我國(不包括臺灣地區(qū))涉及LED外延/芯片的企業(yè)有近百家。

　　在外延/芯片環(huán)節(jié)，由于近兩年新建項目的陸續(xù)投產，區(qū)域分布呈現(xiàn)多地開花、分散發(fā)展的趨勢。其中，長三角地區(qū)企業(yè)數(shù)量超過30家，超過總數(shù)的1/3。

　　制備材料

　　LED制備材料主要指LED生產中需要用到的光刻膠、高純化學試劑、高純電子氣體、靶材和拋光材料。

　　我國LED領域光刻膠還處于產業(yè)化階段初期，國內能夠大批量生產的光刻膠包括紫外負性光刻膠、紫外正性光刻膠(G、I線膠)和TN-STN光刻膠等。然而，高端生產用光刻膠還需要依賴進口。

　　在高純化學試劑領域，國內的產業(yè)化技術水平基本能夠滿足LED生產要求。

　　在高純電子氣體領域，國產的6N高純氨已大量用于LED行業(yè)，取得了一定進展，但特種電子氣體方面整體技術水平與要求還有較大差距，高端核心技術和產品市場仍被國外把控。

　　在靶材領域，中國產業(yè)化技術水平和產品質量發(fā)展較快，基本實現(xiàn)了進口替代，存在突出問題是靶材主要原材料仍然依賴進口。在拋光材料領域，中國基本能夠生產LED領域藍寶石用拋光液和硅、化合物半導體襯底材料用拋光液及水溶膠納米磨料等，但在CMP工藝用其他拋光液、拋光液用核心基礎原材料等還依賴進口。

　　據(jù)不完全統(tǒng)計，目前中國從事光刻膠、高純化學試劑、高純電子氣體、靶材和拋光材料的企業(yè)有31家，主要以合資和民營企業(yè)為主，企業(yè)主要分布在長江三角洲和京津環(huán)渤海地區(qū)。國有及國有控股企業(yè)雖然數(shù)量上不及合資和民營企業(yè)，但產品銷售收入和從業(yè)人員處于絕對優(yōu)勢。

　　深陷產業(yè)鏈低端

　　從2010年到2012年這短短3年間，LED芯片產能擴張超過10倍，導致了LED材料產業(yè)產能嚴重過剩。2014年，受下游應用市場帶動，大部分LED材料企業(yè)整體向好，MOCVD產能利用率上升至52%，開機率上升到70%左右，平均產能利用率較前兩年大幅度提高。

　　隨著市場的向好，以三安光電、華燦光電等為首的國內LED領軍企業(yè)紛紛開啟了新一輪的擴產，而且新增產能一舉超過了其本身的原有機臺數(shù)，未來LED材料產能過剩問題依然不容樂觀。LED材料產能過剩，加劇了企業(yè)之間的無序競爭，雖然行業(yè)市場繼續(xù)增長，整體盈利卻在下滑，價格戰(zhàn)愈演愈烈。LED芯片價格大幅度降低，有的降幅甚至達到了50%，LED材料小企業(yè)紛紛尋求并購和合作，更有甚者已經停產，準備退出這一領域。