隨著美國“禁白”政策的落地實施，各國的“禁白”政策也都陸續(xù)出臺并實施，LED行業(yè)人士似乎看到了前方的曙光，通用照明之門已經(jīng)打開。臺灣LED產業(yè)之父石修博士在接受新世紀LED網(wǎng)采訪時說：“也許我們真正能夠讓照明的能源降低60%至70%，這是我們做半導體照明的人對時代的貢獻。”但是，通用照明市場，也許并不是大家所想象的那樣，真要進入，還需要大大的花一番功夫才行。

　　6月10日，2014新世紀LED高峰論壇“芯片、封裝技術與模塊化”技術峰會上，中山大學佛山研究院王鋼教授、華燦光電股份有限公司研發(fā)經(jīng)理王江波、晶能光電(江西)有限公司消費電子事業(yè)部總經(jīng)理魏晨雨、杭州杭科光電股份有限公司技術總監(jiān)高基偉博士、隆達電子股份有限公司照明成品事業(yè)處處長黃道恒、晶元光電股份有限公司產業(yè)研究室處長梁立田、歐司朗的Mr. Boris Bronger，帶著各自的新技術和經(jīng)驗，分析了目前行業(yè)的現(xiàn)狀，存在的問題，以及未來的發(fā)展趨勢，共同探討LED產業(yè)未來的發(fā)展之路。

　　技術創(chuàng)新是行業(yè)發(fā)展動力源泉

　　氧化鋅藍光LED芯片量產技術指日可待

　　中山大學佛山研究院王鋼教授在峰會上就基于摻鋁氧化鋅透明電極的藍光LED芯片量產技術的最新進展分享了他們的最新研究成果，王鋼教授重點介紹他們在氧化鋅透明導電薄膜方面的最新的數(shù)據(jù)，包括材料的數(shù)據(jù)和芯片的數(shù)據(jù)，特別是他講到利用氧化鋅透明導電薄膜做的倒裝的芯片技術，是一項從來沒有在外面報告過的最新的技術成果。王鋼講道，氧化鋅透明導電外延薄膜的制備，現(xiàn)在定型的G臺是38電機，基本上可以做到大面積均勻性、高穩(wěn)定性、高良率，已經(jīng)在企業(yè)生產線上建了一條線，直接插到一個芯片廠的產線上面，現(xiàn)在正在進行量產，并且已在實驗室開發(fā)了兩代氧化物的MHVD的設備，預計第三季度將可以實現(xiàn)量產。

　　王鋼教授總結了氧化鋅的透明導電薄膜的三大優(yōu)點：一、能夠使得氮化鎵LED和透明導電薄膜這個結構實現(xiàn)一體式的集成生長;二、可以噴涂，可以讓所有的工藝線見不著工人，實現(xiàn)芯片制成的高度自動化;三，氧化鋅透明導電薄膜非常有利于提高覆晶芯片技術性能，提高倒裝芯片的良率。他認為氧化鋅很可能會成為中國硅襯底外延以后的第二個在ID芯片的一個核心技術。

左上：王鋼、右上：王江波、左下：魏晨雨、右下：黃道恒

　　創(chuàng)新性光源研究進展如何?

　　王江波就半導體LED技術發(fā)展現(xiàn)狀的做了相關報告。他認為，高品質LED的技術要素包括四方面：外延材料、芯片工藝、封裝技術和熒光粉。他還提到，LED效率提升的重點是：研究并減弱droop效應，研究并提，LED高溫表現(xiàn)等。

　　王江波也指出了InGaM基LED芯片技術研究重點與挑戰(zhàn)，主要表現(xiàn)在減弱或消除droop效應、提高提取效率、綠光LED效率提升、成本與效率的提升等方面。

　　第一個挑戰(zhàn)，就是如何去消除減弱這個droop效應因為它是隨著電流密度的增大，效率是會急劇下降的，不利于芯片在大電流下工作。第二個挑戰(zhàn)，就是如何提高提取效率。王江波認為，圖形化襯底的優(yōu)化，就是通過對PSS圖形襯底的底寬、間距，包括它高度的優(yōu)化，甚至它側面曲率的優(yōu)化，能夠進一步優(yōu)化對光的提取。第三個挑戰(zhàn)是綠光效率的提升。第四個挑戰(zhàn)就是成本和效率的挑戰(zhàn)。從成本來講，要減小尺寸，減小芯片的顆數(shù)，一是降低整體系統(tǒng)方案的高壓LED的應用，高壓LED是對系統(tǒng)成本降低比較有效的方案。二是倒裝芯片的應用，實際上是對超驅動電流應用的解決方案，它有更低的熱阻、更好的芯片的取光，包括它不需要金線，可以作集成和高密化的集成。這都是倒裝芯片在解決超電流驅動時候的一個好的方案。