1. 背景：芯片廠擴(kuò)產(chǎn)

　　按照晶元公司的預(yù)測(cè)，(1)如果LED液晶電視占液晶電視市場(chǎng)份額的10%，則目前全世界的LED芯片廠的產(chǎn)能將供不應(yīng)求(這一預(yù)測(cè)現(xiàn)在已被證實(shí));(2)照明市場(chǎng)更大，如果全世界的白熾燈100%的被LED燈替換，則LED照明對(duì)LED芯片的需求是LED液晶電視對(duì)LED芯片的需求的100倍，即使10%的白熾燈被LED燈替換，對(duì)LED芯片的需求也是LED液晶電視需求的10倍。比較樂(lè)觀的估計(jì)是，在未來(lái)1至2年內(nèi)，LED將大舉進(jìn)入照明。

　　因此，一方面，各個(gè)LED芯片公司都在擴(kuò)產(chǎn)，另一方面，其他資金也大量進(jìn)入LED芯片產(chǎn)業(yè)。例如，韓國(guó)的三星公司采購(gòu)了大量的外延設(shè)備MOCVD。

　　瓶頸在于，外延設(shè)備廠的擴(kuò)產(chǎn)速度有限(據(jù)報(bào)道，世界兩大MOCVD生產(chǎn)廠家預(yù)計(jì)到今年底，產(chǎn)能增加1倍)，藍(lán)寶石襯底廠的擴(kuò)產(chǎn)速度有限(目前，合格的藍(lán)寶石襯底的生產(chǎn)廠家的數(shù)量屈指可數(shù))。外延設(shè)備廠和藍(lán)寶石襯底廠的擴(kuò)產(chǎn)速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到LED照明對(duì)LED芯片的需求的增加的速度。其他的芯片設(shè)備和原材料的供應(yīng)都會(huì)出現(xiàn)緊張。

　　如何在未來(lái)的幾年內(nèi)擴(kuò)大設(shè)備廠的產(chǎn)能和原材料廠的產(chǎn)能以滿足LED照明對(duì)LED芯片的需求呢?

　　2. 一種緩解的方法：大電流驅(qū)動(dòng)的LED芯片

　　緩解的方法之一是：研發(fā)并在1至2年內(nèi)生產(chǎn)可以采用大電流驅(qū)動(dòng)的LED芯片，使得一個(gè)芯片發(fā)出的光通量相當(dāng)于數(shù)個(gè)傳統(tǒng)的LED芯片的光通量。

　　大電流驅(qū)動(dòng)的LED芯片的優(yōu)勢(shì)如下：

　　(1)相當(dāng)于LED芯片的價(jià)格降低到原有芯片的幾分之一，更有利于LED照明的推廣。(2)相當(dāng)于現(xiàn)有產(chǎn)能提高了幾倍，而沒(méi)有增加極其昂貴的設(shè)備投資，降低風(fēng)險(xiǎn)。(3)提高了新擴(kuò)產(chǎn)的設(shè)備的生產(chǎn)能力。

　　為了更直觀的理解這一緩解的方法，引入兩種芯片產(chǎn)能的定義：

　　(A)芯片產(chǎn)能。

　　(B)lm產(chǎn)能，即，采用lm數(shù)量來(lái)計(jì)算芯片廠的產(chǎn)能，因?yàn)檎彰鳠艟叩囊笫遣捎胠m(或lux)數(shù)來(lái)計(jì)算，而不是燈具所使用的芯片的數(shù)量來(lái)計(jì)算，這有些像發(fā)電廠的產(chǎn)能是按發(fā)電量計(jì)算的一樣。

　　例如，一個(gè)芯片廠的芯片產(chǎn)能是：月產(chǎn)100 kk的45mil芯片。

　　如果每個(gè)芯片封裝后在350mA驅(qū)動(dòng)下發(fā)出100 lm的光，可以說(shuō)該廠的lm產(chǎn)能是10 kkk lm。但是，如果每個(gè)芯片封裝后在更大電流驅(qū)動(dòng)下發(fā)出300 lm的光，可以說(shuō)該廠的lm產(chǎn)能是30 kkk lm。然而，按照350mA驅(qū)動(dòng)的100 lm的LED芯片，為了達(dá)到30 kkk lm的lm產(chǎn)能，則需要的芯片產(chǎn)能是：月產(chǎn)300 kk的350mA驅(qū)動(dòng)的45mil芯片。

　　對(duì)于上面的例子，這相當(dāng)于：

　　(1)大電流驅(qū)動(dòng)的芯片的每lm光通量的成本減低到原來(lái)的1/3; (2)芯片廠家的lm產(chǎn)能提高了3倍，但是，芯片廠家的芯片產(chǎn)能沒(méi)有增加，因而，沒(méi)有增加數(shù)目巨大的設(shè)備投資，節(jié)省了擴(kuò)產(chǎn)月產(chǎn)200 kk 的芯片產(chǎn)能的巨額投資; (3)也節(jié)省了月產(chǎn)200 kk的350mA驅(qū)動(dòng)的芯片的外延生長(zhǎng)和芯片工藝的原材料費(fèi)用。

　　即緩解了對(duì)設(shè)備廠商的壓力，也緩解了對(duì)原材料(包括藍(lán)寶石襯底)的需求。

　　如果能采用更大的電流(例如，數(shù)安培量級(jí)的電流)驅(qū)動(dòng)，則優(yōu)勢(shì)更大。

　　韓國(guó)的三星公司采購(gòu)了大量的外延設(shè)備這一消息被多次引用，但是，沒(méi)有引起廣泛注意的是，三星公司正在與他人合作研發(fā)大電流驅(qū)動(dòng)LED芯片，并且已在外延層面進(jìn)行了專利布局。屆時(shí)，不但三星公司的外延設(shè)備的芯片產(chǎn)能大的驚人，其lm產(chǎn)能則更是驚人數(shù)倍于350mA驅(qū)動(dòng)的LED芯片的lm產(chǎn)能。沒(méi)有大電流驅(qū)動(dòng)芯片的技術(shù)的廠家則更難望其項(xiàng)背。

　　3. 大電流驅(qū)動(dòng)的LED芯片的發(fā)展

　　據(jù)透露，Cree公司的1.5A電流驅(qū)動(dòng)的芯片正在進(jìn)行老化試驗(yàn)，截至目前，6000小時(shí)只衰減7%。

　　我們知道：可以用大電流驅(qū)動(dòng)的LED芯片必須在：(A)外延層面、(B)芯片層面、(C)封裝層面，滿足下面的條件：

　　(A)外延層面：關(guān)鍵的問(wèn)題是要解決在大電流驅(qū)動(dòng)時(shí)芯片的量子效率下降(efficiency droop)問(wèn)題。一些公司正在研發(fā)解決效率下降的方法。例如，美國(guó)佛吉尼亞大學(xué)公開(kāi)了試驗(yàn)結(jié)果：采用摻雜鎂的InGaN 阻擋層代替無(wú)摻雜的GaN 阻擋層，在900A/cm2電流密度下(相當(dāng)于采用9A電流驅(qū)動(dòng)1mm2芯片)，得到最大的外量子效率。作為對(duì)比，目前市場(chǎng)上的常見(jiàn)的大功率1mm2的LED芯片的電流密度只有35A/cm2。最近，該大學(xué)公開(kāi)了他們對(duì)大電流驅(qū)動(dòng)的非極化LED的研發(fā)結(jié)果

　　而且，佛吉尼亞大學(xué)還發(fā)現(xiàn)，對(duì)于電流在P-GaN里橫向流動(dòng)，即，橫向結(jié)構(gòu)的LED芯片，電流擁塞會(huì)造成額外的量子效率下降。

　　(B) 芯片層面(詳見(jiàn)中國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展年鑒(2008))：必須滿足下面條件：有效的向LED芯片引入大電流的方法，電流分布均勻，沒(méi)有電流擁塞，芯片的散熱性能優(yōu)良。

　　三維垂直結(jié)構(gòu)LED芯片比較容易滿足上述的條件，一款三維垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的電極，有4個(gè)條形電極，因此，有4個(gè)電流引入點(diǎn)，即，電流從N金屬分別通過(guò)4個(gè)電流引入點(diǎn)流入4個(gè)條形電極，并進(jìn)而流入LED薄膜，從每一個(gè)電流引入點(diǎn)引入的電流等于總電流的1/4。因此，在電流引入點(diǎn)附近的電流密度較小，不容易在電流引入點(diǎn)的附近產(chǎn)生電流擁塞。對(duì)于更大的電流，可以采用多個(gè)條形電極，而不會(huì)有太多的擋光。

　　三維垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片在把大電流引入芯片方面具有優(yōu)勢(shì)。

　　(C)封裝層面：必須把大電流產(chǎn)生的熱量有效的散掉。

　　總之，為了盡快的推進(jìn)LED照明的進(jìn)程，并滿足LED照明對(duì)LED芯片的需求，一方面要考慮到芯片設(shè)備廠和原材料廠的擴(kuò)產(chǎn)的速度，另一方面要用盡量少的投資增加LED芯片的產(chǎn)能，采用大電流驅(qū)動(dòng)的芯片能更好的滿足這兩方面的需求，而三維垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片更適合大電流驅(qū)動(dòng)!

中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)日趨成熟

深度解析 AC LED應(yīng)用與發(fā)展趨勢(shì)

本土大功率LED芯片計(jì)劃紛紛受阻或下馬