GaN 基功率型LED芯片散熱性能測(cè)試與分析
2009-12-21
作者：admin
來源：廣東半導(dǎo)體照明工程省部產(chǎn)學(xué)研創(chuàng)新聯(lián)盟
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摘要： 與正裝LED相比 ,倒裝焊芯片技術(shù)在功率型LED的散熱方面具有潛在的優(yōu)勢(shì) 。對(duì)各種正裝和倒裝焊功率型LED芯片的表面溫度分布進(jìn)行了直接測(cè)試 ,對(duì)其散熱性能進(jìn)行了分析。
與正裝LED相比 ,倒裝焊芯片技術(shù)在功率型LED的散熱方面具有潛在的優(yōu)勢(shì) 。對(duì)各種正裝和倒裝焊功率型LED芯片的表面溫度分布進(jìn)行了直接測(cè)試 ,對(duì)其散熱性能進(jìn)行了分析。
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